1N4150TAP Kainodara (USD) [3896725vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.00949
- 50,000 pcs$0.00797
- Dalies numeris:
- 1N4150TAP
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - programuojamas atsijungimas, Tranzistoriai - JFET, Tiristoriai - SCR, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, iš , Diodai - lygintuvai - viengubi, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4150TAP electronic components. 1N4150TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4150TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4150TAP Produkto atributai
Dalies numeris :
1N4150TAP
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
150mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1V @ 200mA
Greitis :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
100nA @ 50V
Talpa @ Vr, F :
2.5pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
DO-204AH, DO-35, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
DO-35
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
C4D10120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 10A
-
MMBD914LT1HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.25A
-
BAS16-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V
-
-
BAS16E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
-
Karštos dalys
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF