BYWB29-50HE3/45 Kainodara (USD) [128710vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.28737
- 1,000 pcs$0.26162
- Dalies numeris:
- BYWB29-50HE3/45
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0A 25ns Single Glass Pass
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Diodai - tiltiniai lygintuvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - RF, Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - masyvai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, iš anks, Diodai - Zener - masyvai and Tranzistoriai - JFET ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYWB29-50HE3/45 electronic components. BYWB29-50HE3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYWB29-50HE3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYWB29-50HE3/45 Produkto atributai
Dalies numeris :
BYWB29-50HE3/45
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
50V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
8A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.3V @ 20A
Greitis :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
25ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
10µA @ 50V
Talpa @ Vr, F :
-
Montavimo tipas :
Surface Mount
Pakuotė / Byla :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tiekėjo įrenginio paketas :
TO-263AB
Darbinė temperatūra - sankryža :
-65°C ~ 150°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
VS-16EDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AC. Rectifiers Single 16A 200V FRED Pt AEC-Q101
-
UGB8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 600 Volt 25ns 65 Amp IFSM
-
UGB8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 500V 8A TO263AB. Rectifiers 8.0A 500 Volt 25ns Dual 65 Amp IFSM
-
UGB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB. Rectifiers 100 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
-
UGB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 8A TO263AB. Rectifiers 150 Volt 8.0A 20ns 150 Amp IFSM
Karštos dalys
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08