Taiwan Semiconductor Corporation - RS1BLHRVG

KEY Part #: K6437520

RS1BLHRVG Kainodara (USD) [1700388vnt. sandėlyje]

  • 1 pcs$0.02175

Dalies numeris:
RS1BLHRVG
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Išsamus aprašymas:
DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA.
Manufacturer's standard lead time:
Prekyboje
Tinkamumo laikas:
Vieneri metai
Čipas nuo:
Honkongas
RoHS:
Mokėjimo būdas:
Siuntos būdas:
Šeimos kategorijos:
PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Galios tvarkyklės moduliai, Tranzistoriai - IGBT - moduliai, Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai, Diodai - „Zener“ - vienviečiai, Tiristoriai - SCR, Diodai - lygintuvai - masyvai, Tiristoriai - TRIAC and Tiristoriai - DIAC, SIDAC ...
Konkurencinis pranašumas:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1BLHRVG electronic components. RS1BLHRVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1BLHRVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1BLHRVG Produkto atributai

Dalies numeris : RS1BLHRVG
Gamintojas : Taiwan Semiconductor Corporation
apibūdinimas : DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
Serija : Automotive, AEC-Q101
Dalies būsena : Active
Diodo tipas : Standard
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) : 100V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) : 800mA
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei : 1.3V @ 800mA
Greitis : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) : 150ns
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr : 5µA @ 100V
Talpa @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montavimo tipas : Surface Mount
Pakuotė / Byla : DO-219AB
Tiekėjo įrenginio paketas : Sub SMA
Darbinė temperatūra - sankryža : -55°C ~ 150°C

Galbūt jus taip pat domina
  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • NSB8MT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3

  • MBRB10H100-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 100 Volt 10A Single 250 Amp IFSM

  • NSB8AT-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • MBRB1635-E3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 35 Volt 16A Single 150 Amp IFSM