1N5059TR Kainodara (USD) [586340vnt. sandėlyje]
- 1 pcs$0.06657
- 5,000 pcs$0.06624
- 10,000 pcs$0.06167
- 25,000 pcs$0.06091
- Dalies numeris:
- 1N5059TR
- Gamintojas:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Išsamus aprašymas:
- DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57. Rectifiers 2A 200V SOD-57
- Manufacturer's standard lead time:
- Prekyboje
- Tinkamumo laikas:
- Vieneri metai
- Čipas nuo:
- Honkongas
- RoHS:
- Mokėjimo būdas:
-
- Siuntos būdas:
- Šeimos kategorijos:
- PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - masyvai, Tiristoriai - TRIAC, Diodai - Zener - masyvai, Tranzistoriai - FET, MOSFET - masyvai, Tranzistoriai - dvipoliai (BJT) - vienviečiai, Tiristoriai - DIAC, SIDAC, Diodai - lygintuvai - viengubi and Tranzistoriai - IGBT - vienviečiai ...
- Konkurencinis pranašumas:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5059TR electronic components. 1N5059TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5059TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5059TR Produkto atributai
Dalies numeris :
1N5059TR
Gamintojas :
Vishay Semiconductor Diodes Division
apibūdinimas :
DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
Serija :
-
Dalies būsena :
Active
Diodo tipas :
Avalanche
Įtampa - nuolatinė nuolatinė srovė (Vr) (maks.) :
200V
Dabartinis - vidutiniškai ištaisytas (Io) :
2A
Įtampa - pirmyn (Vf) (maks.) @ Jei :
1.15V @ 2.5A
Greitis :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Atbulinės eigos laikas (trr) :
4µs
Dabartinis - atvirkštinis nuotėkis @ Vr :
1µA @ 200V
Talpa @ Vr, F :
40pF @ 0V, 1MHz
Montavimo tipas :
Through Hole
Pakuotė / Byla :
SOD-57, Axial
Tiekėjo įrenginio paketas :
SOD-57
Darbinė temperatūra - sankryža :
-55°C ~ 175°C
Naujausios naujienos
Galbūt jus taip pat domina
-
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Karštos dalys
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97