Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jei jūsų vieta nenurodyta, pasirinkite vieną iš šių variantų:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Namai
  2. Produktai
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G0846F-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BCMA

KEY Part #: K7359650

[24877vnt. sandėlyje]

    Dalies numeris:
    K4B2G0846F-BCMA
    Gamintojas:
    Samsung Semiconductor
    Išsamus aprašymas:
    2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Prekyboje
    Tinkamumo laikas:
    Vieneri metai
    Čipas nuo:
    Honkongas
    RoHS:
    Mokėjimo būdas:
    Siuntos būdas:
    Šeimos kategorijos:
    PAGRINDINIAI KOMPONENTAI, LTD yra elektroninių komponentų platintojas, kuris siūlo produktų kategorijas, įskaitant: GDDR5, LPDDR5, MODULE, GDDR6, HBM Aquabolt, DDR4, LPDDR4X and LPDDR3 ...
    Konkurencinis pranašumas:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BCMA electronic components. K4B2G0846F-BCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G0846F-BCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G0846F-BCMA Produkto atributai

    Dalies numeris : K4B2G0846F-BCMA
    Gamintojas : Samsung Semiconductor
    apibūdinimas : 2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Serija : DDR3
    tankis : 2 Gb
    Org. : 256M x 8
    greitis : 1866 Mbps
    Įtampa : 1.5 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    paketas : 78FBGA
    Prekės statusas : Mass Production

    Naujausios naujienos

    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Z-SSD SZ985
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Galbūt jus taip pat domina
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Karštos dalys